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三星晶圆代工现警讯;长电联手SMIC设公司;高通:核数非重点
浏览次数:318 时间:2022-09-28

1.移动设备战火连锁效应 三星晶圆代工现警讯
2.影音应用开枝散叶 USB 3.0渗透率加速攀升;
3.高通:核心数非重点,LTE芯片组已推到第4代;
4.联发科、高通 新芯片拚场;
5.长电科技拟联手中芯国际设立合资公司;
6.日电子零件厂积极投入MEMS研发领域
7.三星NAND Flash市占频创新高 东芝扩产积极追赶

  1.移动设备战火连锁效应 三星晶圆代工现警讯


  三星电子(Samsung Electronics)在承接苹果(Apple)CPU代工订单后,一度让旗下晶圆代工业务声势大增,在全球晶圆代工市场急速窜出,甚至与GlobalFoundries、联电并列第二领先群,然苹果将20奈米CPU代工订单转向台积电,加上三星旗下行动装置面临竞争对手强力反扑,市占率成长速度恐将放缓、甚至出现衰退,连带使得IC设计客户对于三星晶圆代工厂投单意愿降低,恐导致三星晶圆代工产能利用率持续下滑,并让晶圆代工业务陷入恶性循环困境。
  近年来三星在智慧型手机及平板电脑等明星级行动装置全球市占率渐增,跃居Google Android平台阵营冲锋战将,但亦威胁到苹果在行动装置市场霸主地位,使得苹果逐渐与三星渐行渐远,并将20奈米CPU代工订单转投台积电,让三星高速成长的晶圆代工业务首度吞下苦果,2014年市占率恐将不增反减。
  半导体业者指出,尽管三星家大业大,不断戮力投资晶圆代工业务,持续砸大钱发展20及14奈米制程技术及扩充产能,但由于三星在行动装置市场与客户竞争,加上近期行动装置竞争对手纷展开大反击,全力捍卫市占率,三星在晶圆代工领域若无法及时挽救流失苹果订单的连锁效应,后续晶圆代工客户很有可能接连抽单,让三星晶圆代工业务在2014年面临崩盘危机。
  事实上,由于三星在智慧型手机、平板电脑及其他3C产品拥有市占率筹码,过去有不少国内、外IC设计业者都乐于在三星晶圆厂投片,三星旗下转投资的IC设计业者更是当仁不让,成为主要客户群之一,但若三星旗下终端产品市占率成长速度放缓、甚至面临衰退,加上最上游晶圆代工产能扩充速度相当快,将造成三星晶圆厂产能利用率持续下滑压力,并让三星晶圆代工业务陷入另一波的恶性循环过程。
  半导体业者表示,过去包括联电、世界先进、特许及和舰等晶圆代工厂,都曾经因为球员兼裁判角色而有过惨痛经验,尽管在景气较好及公司成长阶段暂时看不太出来,然一旦景气转差或公司成长失速时,客户及市占率流失的反作用力便会完全显现出来。
  台积电董事长张忠谋曾表示,作为一家晶圆代工厂,领先的先进技术、卓越的制造能力及信任的客户关系等3项核心关键竞争力缺一不可,其中又以信任的客户关系更为重要,近年来三星及英特尔(Intel)不断高喊要冲刺全球晶圆代工市场,投资额亦不断增加,尽管放眼全球半导体产业,三星及英特尔所具备先进技术及制造能力优势,难有厂商能够抗衡,但在客户关系这一重要关卡,却都遭遇瓶颈,不仅让旗下晶圆代工业务拓展脚步不如预期,甚至可能因为市场变化而面临营运风险。

  360°:全球晶圆代工市场概况

  根据市场研究机构IC Insight的调查数据显示,2013年全球晶圆代工产业中,以力晶的营收年成长率[敏感词],达88%。但由于力晶的营收基期较低,因此若单看前五大业者,以中芯国际的成长速度最快,为28%。三星电子晶圆代工营收的年成长率则为15%,比台积电的营收年成长率稍微逊色2个百分点。
但若以营收规模来看,台积电仍以198.50亿美元营收[敏感词]其他晶圆代工业者。排名第二的GlobalFoundries、第三名联电、第四名三星电子、第五名中芯国际的营收总额都还不及台积电。
展望2014年,三星电子在失去苹果处理器代工订单后,能否维持以往强劲的成长动能,还有待观察。digitimes


  2.影音应用开枝散叶 USB 3.0渗透率加速攀升;


  第三代通用序列汇流排(USB 3.0)渗透率将显著提升。先前USB 3.0在NAND快闪记忆体(Flash)产能未能配合的情况下,迟迟未能于储存应用领域大展身手;不过,今年USB 3.0已迅速拓展至电视、车载资通讯系统与行动装置等影音传输应用市场,可望提升市场渗透率。円星科技副总经理张原熏指出,该公司的USB 3.0实体层IP整合高速混合讯号电路,支援5Gbit/s传输率,并向下相容USB 2.0与USB 1.1。円星科技副总经理张原熏表示,尽管USB 3.0介面在数据传输率的效能优势大幅胜过前一代标准,但由于2013年大多数读写速度在200MB/s以上的NAND快闪记忆体多被用在智慧型手机的内嵌式记忆体(eMMC),因此在记忆体供应商有限、产能受挤压的情况下,USB 3.0即使应用于储存产品,也难与合适的快闪记忆体搭配,导致无法彰显终端产品差异化优势,并削弱储存产品开发商采用USB 3.0介面的意愿。


  有鉴于此,USB 3.0晶片商已积极开拓储存应用之外的市场,盼能于其他领域大展鸿图。张原熏指出,由于USB 3.0同时具备高传输率与供电两大优势,因此已迅速成为第二代高解析度多媒体介面(HDMI 2.0)在电视等影音应用市场的强劲对手。

  据了解,联发科/晨星的超高画质(UHD)电视主晶片已提供USB 3.0的介面支援,而未来中国大陆主要品牌厂商的电视也多将搭载至少一个USB 3.0接口,做为无线区域网路(Wi-Fi)或UltraGig Dongle插孔,从而实现与手机/平板等行动装置间无线传输高画质(HD)影音的应用情境。

  不仅如此,随着主要应用处理器厂商高通(Qualcomm)、辉达(NVIDIA)、博通(Broadcom)等纷纷推出支援USB 3.0规格的新一代处理器,智慧型手机与平板电脑搭载USB 3.0介面,亦已是大势所趋。
看好各式影音应用系统将大量导入USB 3.0晶片,円星科技积极投入USB 3.0实体层(PHY)矽智财(IP)开发,并已于日前成功通过台积电矽智财验证中心的测试。

  张原熏强调,円星科技的USB 3.0实体层矽智财具备低晶片占位面积(仅竞争对手70%)、[敏感词]至50毫安培(mA)的耗电以及高可靠度等多重优势,更重要的是,已全面适用于110奈米(nm)、55奈米、40奈米和28奈米等制程技术,可视特定应用积体电路(ASIC)客户的应用需求,提供能够最快速完成晶片整合设计的矽智财选项。新电子


  3.高通:核心数非重点,LTE芯片组已推到第4代;


  手机晶片大厂高通(Qualcomm)今(19日)召开媒体视讯聚会,由高通策略暨营运资深副总裁与高通投资人关系资深副总裁Bill Davidson说明今年营运展望。关于联发科(2454)甫于日前宣布,推出全球[敏感词]整合ARM Cortex-A17 CPU的4G LTE真八核智慧型手机系统单晶片解决方案MT6595,高通的看法为何?Bill Davidson重申,高通向来的重点就不是在追求核心数,而以往高通的单核心晶片在功耗与效能上都胜过对手的双核、高通的双核也力压对手的四核,因此重点不在核心数目,而是如何达到功耗与效能的[敏感词]平衡。不过关于未来是否走向八核心,高通也并未把话说死,Davidson表示「We never say never」。
  Davidson也意有所指表示,高通的LTE晶片组已经进展到第四代,而高通第四代的LTE单晶片组也已能支援所有载波聚合组合,反观很多高通的竞争对手却还在想办法把[敏感词]代的LTE晶片组做好。
  他说明,高通的重点从来就不是追求核心数,而以往无论是高通在CPU、GPU的对手,都曾不断抛出双核心晶片比单核好、四核晶片又比双核好的说法,惟事实证明,高通的单核心晶片在功耗与效能上都胜过对手的双核、高通的双核也力压对手的四核。他表示,高通长年投入晶片微架构的研发,且与ARM之间存在许多授权的协议,因此可在功耗与效能间取得好的平衡,惟竞争对手则只能靠不断拉高核心数,来分担各种工作。
  Davidson 指出,高通的第四代LTE晶片组,在数据机晶片Gobi 9x35的部分,会采20奈米制程生产,至于射频收发器晶片WTR 3925则将采28奈米制程。他也强调,高通未来也[敏感词]会延续分散晶圆代工供应商策略的路子去走,这一方面也是由于高通晶片出货量相当大,且公司过去 6~8年都采这样的做法。
  关于大陆[敏感词]发改委召开价格监管与反垄断工作新闻发布会,并对高通(Qualcomm)进行调查,点名高通涉嫌滥用无线通讯标准。对此Davidson回应,调查内容必须保密,因此高通无法给予评论。精实新闻


  4.联发科、高通 新芯片拚场;


  全球手机芯片龙头高通昨(19)日表示,将以新款骁龙(Snapdragon)410手机芯片主攻中国大陆市场,并将抢进快速兴起的印度市场。
  市场预期,高通将藉此扩大中低阶智能手机市场布局,与联发科(2454)的战火将由中国延伸至印度,再度让联发科感受压力。联发科昨天涨1.5元、收435元。
  联发科与高通的战火近期愈演愈烈,双方互踩地盘。联发科日前推出全球[敏感词]4G LTE真八核智能机单芯片(SoC),将于上半年试样,终端产品预计今年下半年上市,要分食高通高阶市场市占。
  联发科4G真八核单芯片锁定高阶LTE机种,公司预期能击败高通下一世代的LTE高阶芯片。据了解,包括联想、酷派、中兴等大陆品牌厂,都将于下半年导入使用联发科4G真八核单芯片。
  高通上季财报营收、获利同创历史新高,面对联发科来势汹汹,高通策略暨营运资深副总裁与高通投资人关系资深副总裁戴维森(Bill Davidson)昨日首度以视讯方式,向台湾媒体说明今年营运展望。
  戴维森对于竞争对手推出4G LTE芯片,淡定地说,高通的4G芯片已推动到第4代,不仅技术深具优势且资料传输速度比上代倍增,对手追赶会很辛苦。
  至于市场聚焦的中国大陆,高通也将推出全新的骁龙410抢市。他说,这款芯片特别瞄准中国大陆市场,是全球[敏感词]可满足主流大众市场64位元,同时支持4G LTE、1,300万画素的新款手机处理器。
  他强调,高通这款芯片的策略,具低成本诱因,同时也将很多在高阶手机才有的功能导入,让中低阶手机也兼具高阶智能型手机的功能,他预料这款芯片将会很快看到效益,并显现在财报。

  5.长电科技拟联手中芯国际设立合资公司;


  长电科技2月19日晚间公告称,公司董事会会议审议通过了《关于与中芯国际集成电路制造有限公司组建合资公司的议案》。

  公告称,为尽快进入国际国内一流客户的供应链,增强公司市场竞争力,推动和发展中国大陆的12英寸凸块制造及倒装封装高端业务的发展,打造集成电路制造的本土产业链,公司拟与中芯国际集成电路制造有限公司(简称“中芯国际”)合资建立具有12英寸凸块加工(Bumping)及配套测试能力的合资公司。

  合资公司注册资本拟定为5000万美元,其中长电科技出资2450万美元,占注册资本的49%,中芯国际出资2550万美元,占注册资本的51%;双方均以现金一次性出资。

  此外,公司拟在与中芯国际集成电路制造有限公司合资建立的合资公司附近配套设立先进后段倒装封装测试的全资子公司,与中芯国际一起为国际国内一流的客户提供从芯片制造、中段封装、到后段倒装封装测试的产业链全流程一站式服务。全资子公司注册资本拟定为2亿元,由公司以现金出资并按实施进度分期到位。


   6.日电子零件厂积极投入MEMS研发领域

  日本电子零件厂当前积极从事微机电系统(MEMS)零件事业,进行各项感测器、麦克风等产品研发与推广。

TDK从2008年购并德国Epcos起,便逐渐介入MEMS系统领域,朝通信、汽车、发电等市场发展,主要产品是微机电压力感测器,2014年4月还要量产高噪讯比的微机电麦克风。

  TDK的MEMS电麦克风,长3.35毫米、宽2.5毫米、高1毫米,在人耳所及的20~20000Hz领域音频内,噪讯比66dB(A),131dB大音量下,音讯扭曲仅1%,适用于智慧型手机或随身麦克风,可有效收录复杂的声音,减低失真。

  村田制作所(Murata)在2012年购并芬兰VTI Technology后进入MEMS产业,产品跨及汽车、电信、发电、生化与医疗各领域,其中高精度低加速度感测器、倾度感测仪方面,借VTI的20年以上产销经验,全球市占居于[敏感词]。

  目前村田的重点MEMS产品是与汽车零组件有关的MEMS加速度计、倾斜计、陀螺仪等,以及结合上述感测器的汽车运动模组,成为村田进军汽车零组件市场的重要产品。另外在可抛式气象仪器方面,如MEMS气压计也有一定的重要性。

  三美电机(Mitsumi Electric)将MEMS视为未来重点事业之一,于2013年10月将日本神奈川县厚木事业所的半导体生产线,转为MEMS设备生产线,预定将于2015年起开始生产。目前该厂开发的MEMS产品是汽车抬头显示器的雷射投影系统元件。

  北陆工业则在2014年内投资5亿日圆(约492万美元),设立MEMS设备生产装置,目标是MEMS感测器事业营收达100亿日圆。北陆工业社长津田信治表示,该公司的成长战略,将感测器事业视为重点,因此积极踏入MEMS领域作为未来公司核心事业。

  目前北陆工业已开发出的MEMS系,是运动与受力感测器、加热系统等,未来将朝温度、湿度、气压感测器,以及多功能感测器模组方向发展。

  360°:日本三美电机

  三美电机(Mitsumi Electric)是日本大型电机公司,成立于1954年,是日本[敏感词]历史的电子零组件设计开发、制造公司之一,总部位于东京都多摩市。

  该公司早期营运并不顺利,直到90年代电脑革命崛起后,并以生产5.25吋磁碟机而快速发展。

  三美电机自21世纪起开始专注于生产游戏机及手机零组件,并成为包括Panasonic、任天堂(Nintendo)、KDDI等公司的重要零组件供应商之一。目前该公司主要事业项目包括电气机械器具的制造及销售、计量机械器具、光学机械、医疗卫生机械及电子工业应用产品的制造及销售、金属工业产品及金属材料的制造及销售、陶瓷业产品的制造及销售。

  根据该公司资料显示,目前全球总员工人数约为3.46万人,截至2013年3月底总销售额为1,520.98亿日圆。

  7.三星NAND Flash市占频创新高 东芝扩产积极追赶

  三星电子(Samsung Electronics)在NAND Flash市占率频创新高,东芝(Toshiba)和新帝(SanDisk)也加速扩产位于日本四日市的NAND Flash晶圆厂Fab 5,SK海力士(SK Hynix)在大陆无锡厂恢复产能后,也将增产NAND Flash,预计非三星阵营的市占率可再提升。

  NAND Flash产业不同于DRAM产业之处在于各大阵营间仍有军备竞赛,也持续扩充产能,主要是受惠NAND Flash主要应用在于成长性仍相当高的智慧手机、平板电脑、云端储存上,包括三星、东芝等都有新厂房的产能增加,海力士和美光(Micron)两阵营则都有产能调配,提升NAND Flash产业竞争力。

  东芝和新帝位于日本四日市的新晶圆厂Fab 5,是东芝在当地第三座12吋晶圆厂,在2013年决定进行第二阶段扩产后,预计新产能会在2014年中完工,日前也传出东芝决定砸下400亿日圆扩产此厂房以利转进新制程技术,从19奈米制程转进16/17奈米制程,未来更进一步规划转进3D NAND制程技术。

  三星西安厂的扩产则是业界最为担心的事,预计西安厂的产能在2013年下半可逐渐出笼,且三星规划西安厂房时,是以3D NAND技术最规划,设备厂也传出采购的机台设备也是以3D NAND相关的机台为主。

  虽然日前外电指出,三星可能考虑暂缓西安厂第二阶段(Phase 2)的投资,可能是因为3D NAND技术与传统2D架构的NAND Flash还没有完全成熟,未来应用在对于品质高的云端储存、伺服器、固态硬碟(SSD)上恐有困难,另一方面是良率的考量,若勉强大量导入3D NAND技术,对三星而言也会不符合成本效应。

  半导体业者认为,三星暂缓西安厂NAND Flash扩产投资,可舒缓NAND Flash产业供过于求的现况,也让价格走势可较为稳定。

  SK海力士在2013年第4季的NAND Flash市占率呈现下滑,不过,SK海力士2013年下半年因为大陆无锡厂的祝融之灾,将南韩的NAND Flash产能转到DRAM上,作整体记忆体产能的调配,也牺牲了一些NAND Flash产业市占率,目前无锡厂已开始复工,之前转到DRAM的产能会再转回NAND Flash上。

  以2013年第4季全球NAND Flash市占率来看,三星市占率持续上升,逼近40%,位居第二的东芝市占率从上季28%下滑至25%,第三名的美光从13%提升至15.4%,第4季的海力士下降至11.8%,英特尔(Intel)的市占率则是排名第五,市占率为7.8%。

  以制程技术来看,NAND Flash大厂纷纷从19奈米制程持续往下微缩,转进16/17奈米制程外,也开始进入3D NAND世代,定下三个目标,包括开始量产、积极提升良率以维持成本结构改善,以及导入商用主流产品之列。

  另一个产品趋势,则是低成本的TLC型NAND Flash晶片导入大宗应用端,如手机用内嵌式记忆体eMMC、eMCP,以及SSD产品领域上。


  360°:4Q13 NAND Flash市场概况


  在2013年第4季全球NAND Flash市场上,三星电子(Samsung Electronics)和美光(Micron)市占率提升,东芝(Toshiba)和SK海力士(SK Hynix)下滑,英特尔(Intel)几乎是持平,其中三星电子的单季市占率更是几乎逼近40%。

  展望2014年,三星和东芝都有新产能加入营运,SK海力士则是产能配置将再改变,因此预计未来市占率仍有变化。

  东芝积极扩充日本四日市的新晶圆厂Fab 5,预计会在2014年中完工,传出东芝决定砸下400亿日圆(约4亿美元)扩产,以利转进新制程技术,从19奈米制程转进16/17奈米制程,以及布局未来3D NAND世代的制程技术。

  三星的西安厂则一开始就预计导入3D NAND技术,但传出此技术相较于传统2D技术仍不成熟,一般推论,导入3D NAND技术上可行,但若是3D NAND技术良率未拉上来,则会增加生产成本,不符合大宗化标准型记忆体的成本结构和量产原则。

  根据市调机构针对2013年第4季NAND Flash市场统计,三星市占率逼近40%,位居第二的东芝约25%,第三名的美光约15%,第四名SK海力士约11.8%,英特尔的市占率约7.8%,整个NAND Flash产业单季产值约61.68亿美元。



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